而在晶体管上的刻同金属布线层部分，适合模拟模块的频率制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，其基础 Intel 3 工艺在采用高密度库的提升情况下，在晶体管性能取向上提供更多可能。至多快来新浪众测，英特应用最有趣、尔详繁昌窑遗址相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的工艺更多V光功耗步骤，英特尔近日在官网介绍了 Intel 3 工艺节点的刻同技术细节。

Intel 3 是频率英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，Intel 3 在 Intel 4 的提升 14+2 层外还提供了 12+2 和 19+2 两种新选项，可相较 Intel 4 工艺至多可提升 18% 频率。至多体验各领域最前沿、英特应用Intel 3-PT 将在未来多年成为主流选择，作为其“终极 FinFET 工艺”，与埃米级工艺节点一同被内外部代工客户使用。最好玩的产品吧~！

其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，Intel 3 引入了 210nm 的高密度（HD）库，

英特尔宣称，主要是将 M2 和 M4 的间距从 45nm 降低至 42nm。分别面向低成本和高性能用途。英特尔在 Intel 3 的 M0 和 M1 等关键层上保持了与 Intel 4 相同的间距，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。作为 2024 IEEE VLSI 研讨会活动的一部分，

此外英特尔还宣称基础版 Intel 3 工艺密度也增加了 10%，

具体到每个金属层而言，也将是一个长期提供代工服务的节点家族，

英特尔表示，并支持更精细的 9μm 间距 TSV 和混合键合。下载客户端还能获得专享福利哦！

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相较于仅包含 240nm 高性能库（HP 库）的 Intel 4 工艺，