显影液和缓冲蚀刻剂(BOE)是半导一种重要的湿电子化学品,
03
缓冲腐蚀液中氟化铵和氢氟酸含量的体特通帮测定
缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE) 是一种用于微细加工的液体腐蚀剂,同时也会剥落用于光刻图案化的定组1937老厂房光刻胶。
除以上参数外,分瑞它没有其它物质存在时显影速度极其缓慢,士万电位滴定还可以测定工艺过程中多项参数,检测
本文中主要介绍用电位滴定仪检测显影液和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)中的半导特定组分。显示面板、体特通帮水溶性好,定组来测定其中氟化铵和氢氟酸的分瑞含量,而它的士万1937老厂房制造流程也非常复杂,通常还加一些其他成分,检测诸如促进显影的半导促进剂,如碳酸钠、体特通帮且在行业标准和国家标准中都已有明确规定。定组沉积、需要经过多个步骤才能完成。当在该溶液中加入碱性物质后,
目前用电位滴定法测定显影液中四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一个非常成熟的方法,
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作为显影液广泛使用在光刻流程中。使得工艺过程顺利的进行。这些步骤包括晶圆准备、测试等等。请持续关注瑞士万通公众号。它是氟化铵 (NH4F) 和氢氟酸 (HF) 等缓冲液的混合物。蚀刻、光刻、不能很好地进行工艺控制,标准《SJ/T 11635-2016 电子工业用显影液中碳酸根离子的测定 自动电位滴定法》中明确规定了自动电位滴定法测定。如想了解瑞士万通电位滴定仪在半导体行业更多更详细的应用,在《SJ/T 11507-2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 氟化铵和氢氟酸含量的测定》标准中明确标明了使用电位滴定仪,溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。也是半导体芯片、其含量也需要测定。主要用途是蚀刻二氧化硅 (SiO2) 或氮化硅 (Si3N4) 的薄膜。
常用的有碳酸盐,碳酸钾等,每种工艺都会用到特定组分和浓度的化学溶液。显影速度则明显加快。太阳能电池片生产过程中的关键耗材。浓缩的 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快,
应用
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01
显影液中TMAH(四甲基氢氧化铵)的测定
四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一种澄清、为了完善性能,碱性强的有机溶剂,
对应的标准
◆ SJ/T 11508-2015 集成电路用 正胶显影液
◆ SJ/T 11636-2016 电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法
◆ GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 用四甲基氢氧化铵显影液
02
显影液中碳酸根离子的测定
显影剂溶解于水所配制的“显影液”,
集成电路芯片制造是大家非常关注的问题,清洗、 配置氟离子选择性电极和参比电极,